Litar bersepadu atau litar bersepadu monolitik (juga dirujuk sebagai IC, cip, atau mikrocip) adalah satu set litar elektronik pada satu plat kecil ("cip") daripada bahan semikonduktor, biasanya silikon. Ini boleh dibuat lebih kecil daripada litar diskret dibuat daripada komponen bebas.
Litar bersepadu yang digunakan dalam peralatan elektronik hampir semua hari ini dan telah merevolusikan dunia elektronik. Komputer, telefon bimbit, dan lain-lain peralatan rumah digital kini bahagian inextricable struktur masyarakat moden, dilakukan oleh kos yang rendah menghasilkan litar bersepadu.
IC boleh dibuat sangat padat, mempunyai sehingga beberapa bilion transistor dan komponen elektronik lain di kawasan seluas kuku. Lebar setiap baris menjalankan dalam litar boleh dibuat lebih kecil dan lebih kecil sebagai kemajuan teknologi;. Pada 2008 ia jatuh di bawah 100 nanometer dan pada tahun 2013 ia dijangka berada dalam puluhan nanometer

contah gambar

Terperinci sintetik litar bersepadu melalui empat lapisan antara sambungan tembaga planarized , turun ke polisilikon (merah jambu) , telaga ( kekelabuan ), dan substrat (hijau)

IC telah dibuat mungkin dengan penemuan eksperimen yang menunjukkan bahawa peranti semikonduktor boleh melaksanakan fungsi tiub vakum dan dengan kemajuan teknologi abad ke- pertengahan ke-20 dalam semikonduktor peranti fabrikasi. Integrasi jumlah yang besar transistor kecil ke dalam cip kecil adalah peningkatan yang besar ke atas perhimpunan manual litar menggunakan komponen-komponen elektronik diskret. Keupayaan litar bersepadu ini pengeluaran besar-besaran , boleh dipercayai, dan pendekatan bangunan -blok kepada reka bentuk litar memastikan penggunaan pesat litar bersepadu standard di tempat reka bentuk menggunakan transistor diskret.

Terdapat dua kelebihan utama IC lebih litar diskret : kos dan prestasi. Kos adalah rendah kerana cip , dengan semua komponen mereka, dicetak sebagai satu unit oleh photolithography bukannya dibina satu transistor pada satu masa. Tambahan pula , bahan yang kurang digunakan untuk membina IC mati dibungkus daripada membina sebuah litar diskret. Prestasi tinggi kerana komponen-komponen menukar dengan cepat dan menggunakan kuasa sedikit (berbanding dengan rakan-rakan diskret mereka) akibat daripada saiz yang kecil dan berdekatan komponen. Sehingga 2012, kawasan cip tipikal terdiri daripada beberapa milimeter persegi kepada kira-kira 450 mm2 , dengan sehingga 9 juta transistor per mm2